3代内存条和4代内存条的区别,三代内存条与四代区别

3代内存条和4代内存条的区别

三代内存条和四代内存条有比较大的区别，首先他们的主频相差比较大，3代内存的主频一般都在1000多兆赫，而四代内存的主频可以达到3千至4千兆赫兹。

另外，三代内存和四代内存条的凹槽位置不一样，他们单片的内存片的代替容量也有比较大的差距

4代内存条和3代内存条区别

1、DDR4相比DDR3最大的区别有：

2、1）处理器：每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。

3、Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。

4、Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。

5、上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。

6、2）频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。

7、DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。

8、3）DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。

9、DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。

10、4）DDR4内存容量提升明显，可达128GB：上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。

11、5）DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。

三代内存条与四代区别

1、三代内存条和四代内存条的区别主要有三点，分别是内存条的容量变化、内存条的外观变化和内存条的内存功耗及频率变化。

2、三代内存条单根的最小容量是1G，最大单根容量是8G，四代内存条单根最小容量是4G，最大单根容量是128G。

3、外观方面也是不一样的，三代内存条金手指缺口位置在内存条正面的左边，四代内存条缺口的位置偏中间位置。